IGBT晶体管FGH60N60SMD

明佳达优势供应IGBT晶体管FGH60N60SMD，全新原装正品，价格优势，接受实单议价，有需要请与我们联系。

详细参数值：

制造商: ON Semiconductor

产品种类: IGBT 晶体管

RoHS:  详细信息  

技术: Si

封装 / 箱体: TO-247

安装风格: Through Hole

集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V

集电极—射极饱和电压: 1.9 V

栅极/发射极最大电压: 20 V

在25 C的连续集电极电流: 120 A

Pd-功率耗散: 600 W

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

系列: FGH60N60SMD

商标: ON Semiconductor / Fairchild  

栅极—射极漏泄电流: 400 nA  

产品类型: IGBT Transistors  

工厂包装数量: 450  

子类别: IGBTs  

单位重量: 6.390 g

了解更多你可以留意下我们的发布的产品信息，或者直接来电（型号较多的发邮件）给我们明佳达的客服人员，等待客服给你报价即可。